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Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介紹

開始時間:2015-11-04 10:00:00

研討會介紹

傳統硅材料在開關電源系統上已經發展了幾十年,就目前來講硅材料的發展空間很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不過目前已經發展進入了功率器件的應用領域因為GaN適合高頻高壓的場合。作為下一代功率器件GaN HEMT已經做好了替代 Si MOSFET的一切準備,其強勁的性能主要表現在超好的技術參數RDSON,QG,QRR等一系列影響到功率器件性能的關鍵參數。GaN HEMT用在開關電源系統上面可以顯著的提高系統的開關效率,在硬開關下面提高開關頻率使得系統體積更小,從而更顯著的提高其功率密度。Transphorm這家公司專注于GaN的研究已經接近十年,公司成立于美國的加州Goleta,員工超過130人,專利超過250個,而且是目前唯一一個通過JEDEC認證的GaN的企業,FUJITSU目前與Transphorm合作為客戶提供GaN HEMT的技術支持及產品。

演講人介紹

孫國偉
孫國偉(FAE),從事半導體行業多年,擁有豐富的行業技術經驗,主要方向電源管理芯片及功率器件的應用。加入富士通半導體之后,從事電源管理芯片以及功率器件的技術支持工作。

公司介紹

富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業務總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連等地均設有分公司,負責統籌富士通在中國半導體的銷售業務。富士通半導體(上海)有限公司的主要銷售產品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服務,專用標準產品(ASSPs),鐵電隨機存儲器,繼電器和GaN(氮化鎵)等,它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。更多詳情請瀏覽網站:http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/

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